SLG59H1126V

SLG59H1126V

HFET1™高压集成电源控制开关

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12v, 18mΩ,6a集成电源开关V锁定Select和IDS电流监视器输出

所述SLG59H1126V是一个高性能,自供电18毫欧NMOS功率开关设计用于所有4.5至12伏电源轨高达5 A.使用一个专有的MOSFET设计,SLG59H1126V实现了稳定的18毫欧 - [RDSON输入电压范围宽。结合了新颖的FET设计和铜柱互连,SLG59H1126V封装在大电流运行时也表现出了低热阻。SLG59H1126V设计工作在-40°C到85°C范围内,可在低热阻,符合rohs, 1.6 x 3.0 mm STQFN封装。

特性

  • 优化电信设备,高性能企业计算,电机驱动
  • 18毫欧 - [RDSON
  • 最大连续开关电流:6A
  • 宽工作电源电压:4.5 V至13.2 V
  • 自动的nFET SOA保护
  • 2级,针可选VIN过压锁定
  • 电容可调浪涌电流控制

特性

  • 两级电流限制保护:
    • 电阻可调的主动限流
    • 固定0.5A短路电流限制
  • ON-OFF控制:高电平
  • 封装1.6 x 3.0 x 0.55 mm STQFN-18

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  • 企业计算与电信设备5V和12V点负载配电
  • PCI / PCIe适配卡
  • 通用高电压,电源轨开关
  • 多功能打印机
  • 风扇电机控制
STQFN-18(1.6×3.0mm厚)

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