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SLG59H1006V
SLG59H1006V
HFET1™高电压集成电源控制开关
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a22 V, 13.1 mΩ，5 A集成电源开关与V在锁定选择和我DS当前监视器输出
SLG59H1006V SLG59H1006V是一款高性能、自供电的13.1 mΩNMOS电源开关，适用于所有4.5至22 V至5a的电源轨。使用一个专有的MOSFET设计，SLG59H1006V达到稳定的13.1 mΩRDSON在宽输入/电源电压范围及以上的温度。在结合新颖FET设计和铜柱互连，所述SLG59H1006V包也表现出大电流动作的低热阻。设计成在℃至85℃范围-40运行，SLG59H1006V处于低热阻可用，符合RoHS的，1.6×3.0毫米STQFN包。
特征
- 优化电信设备，高性能企业计算，电机驱动
- 13.1ΩRDSON
- 最大持续开关电流:5安培
- 宽工作电源电压:4.5 V至22 V
- 自动nFET SOA保护
- 4级，针可选VIN过压锁定
- 电容可调涌流控制
特征
- 两级限流保护:
- 电阻可调有功电流限制
- 固定0.5A短路电流限制
- 开关控制:高电平有效
- 包1.6×3.0×0.55毫米STQFN-18
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- 电源轨开关
- 多功能打印机
- 大幅面复印机
- 电信设备
- 高性能计算5V, 9V, 12V, 20V点负载功率分配
- 电机驱动
包
STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)
资源
数据表
- SLG59H1006V数据表（1.29 MB）
应用笔记
- AN-1068 GFET3和HFET1集成电源开关基础知识(1.93 MB)
- AN-1112提高HFET1的VIN瞬态保护（375.58 KB）
- AN-CM-260应用对话集成电源开关在功率分割应用亚博国际官网平台网址(1.09 MB)
- AN-CM-268：将对话框集成电源开关在双向应用亚博国际官网平台网址(1.44 MB)
- AN-CM-289集成了电源开关的PCB布局散热考虑（1.3 MB）
模拟宏模型
- SLG59H1006V LTspice模型（9.86 KB）
- SLG59H1006V PSpice软件模型(3.98 KB)
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