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SLG59H1019V型
SLG59H1019V型
HFET1型™ 高压集成电源控制开关
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自供电，24 V，13 mΩ/5 A HFET1集成电源开关输入（OVLO）残疾人
SLG59H1019V是一款高性能13 mΩNMOS电源开关，设计用于控制4.5 V至25.2 V的电源轨，最高可达5 a。采用专有MOSFET设计，SLG59H1019V可实现稳定的13 mΩRDSON公司广泛的输入电压范围。在结合新颖的场效应管设计和铜柱互连，SLG59H1019V封装还展示了一个高电流运行的低热阻。SLG59H1019V的设计工作温度范围为-40°C至85°C，采用低热阻、符合RoHS标准、1.6 x 3.0 mm STQFN封装。
特征
- 高性能N沟道MOSFET
- 低RDSON公司：13兆欧
- 连续IDS公司额定电流：5A
- 工作电压范围：4.5V≤5V在≤25.2伏
- 五输入（OVLO）：已禁用
- 五输入（UVLO）：3.1V，固定
- 电容可调启动和冲击电流控制
特征
- 两级过流保护：
- 电阻器可调有功电流限制为5A
- 固定0.5 A短路电流限制
- 快速0.75kΩV出去出院手续
- 过温度保护
- 开关控制：高电平有效
- 工作温度范围：-40C至85C
- 包装1.6 x 3.0 x 0.55 mm STQFN-18
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- 电信设备
- 高性能计算
- 负荷配电点
- 电机驱动器
包裹
STQFN-18（1.6 x 3.0毫米）
资源
数据表
- SLG59H1019V产品介绍（1.78 MB）
应用说明
- AN-CM-268：在双向应用中应用Dialog集成电源开关亚博国际官网平台网址（1.44 MB）
- AN-CM-272扩展对话框的IPS最大工作电流（1.19 MB）
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