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SLG59H1008V.
SLG59H1008V.
HFET1™高压集成功率控制开关
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13.3MΩ，4个具有12V / 24V输入锁定选择和I的集成电源开关DS.当前监视器输出
SLG59H1008V是一种高性能13.3MΩNMOS电源开关，用于控制12 V或24 V电源轨，最高可达4A。使用专有MOSFET设计，SLG59H1008V实现稳定的13.3MΩR达森跨越宽输入电压范围。在结合新型FET设计和铜柱互连时，SLG59H1008V封装也表现出用于高电流操作的低热阻。设计用于在-40°C至85°C范围内，SLG59H1008V可提供低热电阻，符合RoHS兼容，1.6 x 3.0 mm Stqfn封装。
特征
- 优化为电信设备，高性能企业计算，电机驱动器
- 13.3mΩr.达森
- 最大连续开关电流：4 a
- 宽操作电源电压：12 V或24 V.
- 自动NFET SOA保护
特征
- 两级电流限制保护：
- 电阻可调的主动电流限制
- 固定0.5A短路电流限制
- 开关控制：活跃高
- 包1.6 x 3.0 x 0.55 mm stqfn-18
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- 电源轨开关
- 多功能打印机
- 大型复印机
- 电信设备
- 高性能计算12 V和24 V负载点配电
- 电机驱动器
包
STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）
资源
- SLG59H1008V UL证书（340.38 kB）
数据表
- SLG59H1008V数据表（936.71 KB）
申请笔记
- AN-1112改善HFET1的VIN瞬态保护（375.58 KB）
- AN-CM-260应用对话框集成电源开关在功率分割应用中亚博国际官网平台网址（1.09 MB）
- AN-CM-268：在双向应用中应用对话框集成电源开关亚博国际官网平台网址（1.44 MB）
- AN-CM-272扩展对话框的IPS最大工作电流（1.19 MB）
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