SLG59H1009V

SLG59H1009V

HFET1™高压集成电源控制开关

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A 22 V,13.1毫欧,4A集成电源开关为V锁定Select和IDS电流监视器输出

SLG59H1009V SLG59H1009V是一款高性能,自供电的13.1 mΩNMOS电源开关,设计适用于所有4.5至22 V功率rails高达4a。使用一个专有的MOSFET设计,SLG59H1009V达到稳定的13.1 mΩRDSON宽输入/供电电压范围。结合新颖的FET设计和铜柱互连,SLG59H1009V封装在大电流运行时也表现出低热阻。设计能在-40上操作°C至85°SLG59H1009V适用于低热阻、符合rohs标准的1.6 x 3.0 mm STQFN封装。

特性

  • 优化电信设备,高性能企业计算,电机驱动
  • 13.1毫欧řDSON
  • 最大连续开关电流:4一
  • 宽工作电源电压:4.5 V至22V的
  • 自动的nFET SOA保护
  • 电容可调浪涌电流控制

特性

  • 两级电流限制保护:
    • 电阻可调的主动限流
    • 固定0.5A短路电流限制
  • ON-OFF控制:高电平
  • UL2367认证-文件编号E468659
  • 封装1.6 x 3.0 x 0.55 mm STQFN-18

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  • Power-Rail切换
  • 多功能打印机
  • 大幅面复印机
  • 电信设备
  • 高性能计算5V,9V,12V和20V点负载配电
  • 电机驱动
STQFN-18(1.6×3.0mm厚)

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