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DataFlash™SPI内存

最有效的闪存数据记录

  • 字节/页编程
  • 快速页面擦除
  • 低功耗模式
  • 掉电保护
  • 数据完整性和安全性

DataFlash先进的双SRAM缓冲架构使其成为数据日志记录最有效的内存。它还集成了一套高级功能,可节省系统功耗、降低处理器开销、简化软件开发,并提供全面的数据安全性和完整性选项。

特性

宽Vcc

双SRAM缓冲器

低功耗操作可延长系统电池寿命

字节写入在串行NOR闪存设备中提供串行EEPROM功能

超深断电在>400nA

扩展Vcc操作允许系统内存在整个电压范围内工作

全面的安全性和唯一的ID功能保护设备免受外部篡改

保持联系

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DataFlash™SPI内存

密度 产品数据表 速度 Vcc范围 接口 细节 状态 样品
64 mbit AT45DB641E 104兆赫 1.7 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
32兆比特 AT45DB321E 104兆赫 2.3 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
32兆比特 AT45DQ321 70 - 104 mhz 2.3 v - 3.6 v SPI,双,四I/O 活跃的 订单样品
32兆比特 AT45DQ321(105°C) 40 - 104 mhz 2.3 v - 3.6 v SPI,双,四I/O 活跃的 订单样品
16 mbit AT45DB161E 104兆赫 2.3 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
16 mbit AT45DQ161 100兆赫 2.3 v - 3.6 v SPI,双,四I/O 活跃的 订单样品
8兆比特 AT45DB081E 133兆赫 1.7 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
4兆比特 AT45DB041E 104兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
4兆比特 AT45DB041E(125°C) 85兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
2 mbit AT45DB021E 70兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
AT45DB641E细节
订购代码
AT45DB641E-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB641E-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB641E-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB641E-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB641E-MWHN-Y MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DB641E-MWHN-T MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DB641E-CCUN-T UBGA 9CC19 - 6x6
AT45DB641E-UUN-T WLCSP -联系Adesto
AT45DB641E-SHN2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB641E-MHN2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB641E-MWHN2B-T MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DB641E-CCUN2B-T UBGA 9CC19 - 6x6
AT45DB641E-UUN2B-T WLCSP -联系Adesto
AT45DB321E细节
订购代码
AT45DB321E-CCUF-T UBGA 9CC19 - 6x6
AT45DB321E-MHF-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB321E-MHF-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB321E-MWHF-T MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DB321E-MWHF-Y MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DB321E-MWHF2B-T MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DB321E-MHF2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB321E-SHF-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB321E-SHF-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB321E-SHF2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB321E-SHFHA-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB321E-SHFHC-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ321细节
订购代码
AT45DQ321-SHF-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ321-SHF-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ321-MHF-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DQ321-MHF-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DQ321-MWHF-T MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DQ321-MWHF-Y MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DQ321-CCUF-T UBGA 9CC19 - 6x6
AT45DQ321-SHF2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ321-MWHF2B-T MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DQ321-MHF2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E细节
订购代码
AT45DB161E-MHD-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E-MHD-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E-MHD2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E-MHF-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E-MHF2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E-MHF-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E-SHD-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB161E-SHD-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB161E-SHD2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB161E-SHF-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB161E-SHF2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB161E-SSHD-B Soic 150mil 8s1
AT45DB161E-SSHD-T Soic 150mil 8s1
AT45DB161E-SSHD2B-T Soic 150mil 8s1
AT45DB161E-SHF-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB161E-SSHF-B Soic 150mil 8s1
AT45DB161E-SSHF-T Soic 150mil 8s1
AT45DB161E-SSHF2B-T Soic 150mil 8s1
AT45DB161E-UUF2B-T 11-WLCSP
AT45DB161E-UUF-T 11-WLCSP
AT45DQ161细节
订购代码
AT45DQ161-SHF-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ161-SHF-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ161-MHF-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DQ161-MHF-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DQ161-SSHF-T Soic 150mil 8s1
AT45DQ161-SSHF-B Soic 150mil 8s1
AT45DQ161-CCUF-T UBGA 9CC19 - 6x6
AT45DQ161-SHF2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ161-SSHF2B-T Soic 150mil 8s1
AT45DQ161-MHF2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DQ161-SHFHB-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ161-SSHFHB-T Soic 150mil 8s1
AT45DQ161-SHFHD-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ161-SSHFHD-T Soic 150mil 8s1
AT45DB081E细节
订购代码
AT45DB081E-SSHN-T Soic 150mil 8s1
AT45DB081E-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB081E-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB081E-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB081E-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB081E-SSHN2B-T Soic 150mil 8s1
AT45DB081E-SHN2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB081E-MHN2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB081E-SSHN-B Soic 150mil 8s1
AT45DB081E-UUN-T 8-WLCSP
AT45DB081E-DWF 参见晶圆模具解决方案菜单
AT45DB041E细节
订购代码
AT45DB041E-SSHN-T Soic 150mil 8s1
AT45DB041E-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB041E-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB041E-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB041E-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB041E-SSHN2B-T Soic 150mil 8s1
AT45DB041E-SHN2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB041E-MHN2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB041E-SSHN-B Soic 150mil 8s1
AT45DB041E-UUN-T 8-WLCSP
AT45DB041E-DWF 参见晶圆模具解决方案菜单
AT45DB021E细节
订购代码
AT45DB021E-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB021E-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB021E-MHN2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB021E-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB021E-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB021E-SHN2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB021E-SSHN-B Soic 150mil 8s1
AT45DB021E-SSHN-T Soic 150mil 8s1
AT45DB021E-SSHN2B-T Soic 150mil 8s1
AT45DB021E-UUN-T 8-WLCSP
AT45DB021E-DWF 参见晶圆模具解决方案菜单
AT45DQ321(105°C)详细信息
订购代码
AT45DQ321-SHFHB-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ321-SHFHB-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB041E(125°C)详细信息
订购代码
AT45DB041E-SHNHT-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB041E-SHNHT-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB041E-SSHNHT-B Soic 105mil 8s1 8
AT45DB041E-SSHN-T Soic 105mil 8s1 8

美光M25PE替换

密度 产品数据表 速度 Vcc范围 接口 细节 状态 样品
16 mbit AT25PE16 85兆赫 2.3 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
8兆比特 AT25PE80 85兆赫 1.7 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
4兆比特 AT25PE40 85兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
2 mbit AT25PE20 85兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
AT25PE16细节
订购代码
AT25PE16-SSHN-B Soic 150mil 8s1
AT25PE16-SSHN-T Soic 150mil 8s1
AT25PE16-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT25PE16-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT25PE16-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE16-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE20细节
订购代码
AT25PE20-SSHN-B Soic 150mil 8s1
AT25PE20-SSHN-T Soic 150mil 8s1
AT25PE20-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT25PE20-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT25PE20-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE20-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE40细节
订购代码
AT25PE40-SSHN-B Soic 150mil 8s1
AT25PE40-SSHN-T Soic 150mil 8s1
AT25PE40-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT25PE40-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT25PE40-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE40-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE80细节
订购代码
AT25PE80-SSHN-B Soic 150mil 8s1
AT25PE80-SSHN-T Soic 150mil 8s1
AT25PE80-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT25PE80-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT25PE80-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE80-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6

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产品简介和摘要
的名字 日期 版本
DataFlash产亚博电竞菠菜品概述(491.34 KB)
SPI NOR Flash产品选择器(769.09 KB) 15/03/2022 一个
应用笔记
的名字 日期 版本
AN005 Rev有源中断被证明可以降低功耗(873.64 KB)
AN111:在AT25xx系列和AT45xx系列中实现超深断电模式(339.24 KB)
AN500:NOR闪存擦除操作(807.16 KB)
AN501: NOR闪存中的上电/下电考虑(588.11 KB) 01/05/2021 A1
AVR116: DataFlash上的磨损平整(628.62 KB)
AVR335:数字录音机tinyAVR或megaAVR和DataFlash(149.29 KB)
AVR335:数字录音机与tinyAVR或megaAVR和DataFlash - Zip(12.73 KB)
二进制页面大小(129.17 KB)
DataFlash: SRAM Buffer Read特性描述(451.4 KB)
DataFlash®和串行Flash BGA包(619.13 KB)
使用DataFlash®e系列家族在电源故障期间保存数据(468.27 KB) 11/12/2020 A0
VCC电源关闭,停电,电源与DataFlash家族(270.42 KB)
布局指南
的名字 日期 版本
Adesto存储器器件的PCB设计和布局考虑(313.89 KB)
软件资源
的名字 日期 版本
仿真工具(29.68 KB)
用户指南和手册
的名字 日期 版本
转换指南Micron EOL M45PE产品亚博电竞菠菜(276.43 KB)
DataFlash Verilog模型用户手册(50.32 KB)
DataFlash VHDL模型用户手册(35.26 KB)
用于Dialog SoC产品的Dialog闪存亚博电竞菠菜(184.91 KB) 23/07/2021
RoHS和Reach
的名字 日期 版本
证书和声明(29.68 KB)
一般
的名字 日期 版本
Adesto串行闪存节能功能和概念(1.22 MB)
DataFlash内存产品选择器亚博电竞菠菜(246.51 KB)
DataFlash®-L: Page Erase Serial Flash产品概述(222.93 KB)
长寿项目(29.68 KB)
产品变更通知(29.68 KB)

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小页擦除

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NOR闪存系统增强灵活的RW SRAM缓冲器

您不能再在此页面上发表问题或评论。所有产品论坛上的活动yabo国际娱乐网站已经迁移到一个叫做RenesasRulz瑞萨电子公司(“瑞萨”)将成为服务提供商和处理器,代表Dialog Semiconductor PLC管理这一举措。yabo国际娱乐(“yabo国际娱乐半导体”对话框)。请把你的问题张贴在那里:

BLE和Wifi|PMIC|GreenPAK|内存产品亚博电竞菠菜

回到结果

内存

4个月前

AT25SL128A进入保护扇区状态

发布的ArunH97点 8回答说
1 upvote

你好,

我有一个基于AT25SL128A的设计。我从standardflash.c开始,从Adesto github网站上对它进行测试,所有测试都通过了。所以我假设我的SPI集成在我的MCU上很好。

然后,我将它设置为一个更长的测试,以便它可以继续写入/读取数据,然后绕到内存的起始位置。然后我擦除4K扇区,回收它用于写作。

然而,当我在换行后读回4K擦除后的数据时,我发现我总是读全0。进一步检查发现,状态寄存器1的值为0xFC,这意味着所有保护位都被设置为1。

Q1:这不是我做的,所以我想知道你是否有什么建议,闪光是否会由于任何触发而自己进入这种状态?
Q2:或者只有MCU把这个值写给它才会发生?

注1:我能够通过向状态寄存器1写入一个新值来恢复到工作状态,但我想检查如何在将来避免这种情况。

Note2:状态寄存器2为0x00,这是默认值。它没有改变。

谢谢!

-阿伦

4个月前

gordonmacnee 225点

你好,阿伦,

我自己没有使用过GitHub的驱动程序,但使用过AT25SL128A,它不应该保护自己。您是否能够分解您的测试以查看STATUS reg 1何时被更改?我也会问问我们的一些软件工程师,如果他们看到车手有任何问题。

4个月前

ArunH 97点

你好戈登,

github驱动程序和测试本身似乎完全没问题。

奇怪的是,这只发生在包装回第一个扇区,这就是为什么我想我要问的问题,即,如果一个已经写的扇区需要在擦除或写入或读取之前不受保护。

这似乎不太可能,但这是我第一次使用闪光灯,所以我想我应该问一下。

我还不能重复这一点,但它发生在两个单位,都在环绕。

如果这种情况再次发生,我会尽量获得更多的信息。

谢谢你的回复!

4个月前

gordonmacnee 225点

你能给我更深入地描述一下“缠绕”的情况吗?

谢谢

4个月前

ArunH 97点

你好戈登,

通过“环绕”,我的意思是我写数据(读取滞后数据)直到闪存的结束,然后我返回到闪存的开始。因此,在我再次写入之前,我已经在那里写入了数据,我必须擦除4K扇区(4K扇区号为0)。

谢谢,

阿伦

4个月前

gordonmacnee 225点

嗨ArunH,

刚和我们SW团队的人谈过。这些驱动程序是由一个实习生编写的,以帮助我们演示闪存部件,并在NXP和ST控制器上进行了测试。请注意,这些驱动程序使用“位敲击”方法,其中IO引脚用于模拟SPI硬件。这使得它们稍微慢一些,并且没有充分利用可用的SPI总线硬件。也就是说,他们应该在任何控制器上工作,不应该在没有主机程序请求的情况下保护Flash。

你能让我们知道你正在使用的处理器,以及更多关于何时发生这种“环绕”的信息吗?

问候

4个月前

ArunH 97点

你好戈登,

我没有使用来自驱动程序的位敲击技术,我用我正在使用的MCU (SiLabs EFR32BG22)的SPI代码替换了它。一般来说,这工作得很好,没有发现任何问题,除了这个情况。对不起,我之前忘了提这一点,我使用的是standardflash.c不变,接口到MCU SPI代码。

当写入到flash的末尾(16MByte限制),然后返回到地址0或4K扇区号0时,就会发生环绕。数据回读失败,即只回读0,而不是真正的数据。我不能说写失败了,写了0,还是读失败了,读了0。

感谢确认这不是预期在闪存上没有主机程序实际上指挥这,不管使用的驱动程序。这正是我想从你这得到的。

问候,

阿伦

4个月前

gordonmacnee 225点

谢谢你的反馈。我将把这个停在这里,但如果有更多的问题,请再次打开这个线程。

1个月前

wouter_palmsens 5分

我在使用AT25S时也经历过相同或非常相似的行为F128 a。我使用的是我自己的代码(不是来自GitHub的代码),它已经为我们的第一个原型工作了数周。在对最终产品进行测试期间,其中一个闪存设备以某种方式被写入保护(状态寄存器1的值是0xFC)。我的代码不包括任何“写状态寄存器”命令,我完全不知道是什么触发了写保护。在清除状态寄存器后,可以再次写入闪存,但我仍然不明白为什么这是必要的。