答：DataFlash船舶，默认页面大小为264或528字节。要在二进制模式下配置DataFlash（256/512字节页面），请参阅上电时以下步骤：
- 充电。
- 读取状态寄存器字节1，位0。
- 如果这个位为1，那么所有很好，所以开始运行。
- 如果该位为0，则设备配置为264字节页面大小。
- 发送命令0x3d，0x2a，0x80，0xA6以将其更改为“二进制”页面大小。
- 开始运行。这只需要在第一次上电时完成一次。并允许您安装2B和非2B部件，没有任何变化。
答：您可以在此处下载比较。
AT45DB011D VS AT45DB021E答：访问我们的仿真工具页。
答：下载源代码示例应用笔记
源代码示例应用笔记- 答：参观程序员支持页面
答：您可以在此处下载比较。
AT25DF041A VS AT25SF041答：您可以在此处下载PDF与布局建议。
SSH和MH PAD布局建议答：您可以在此处下载PDF与布局建议。
AT45DB641E-SHN，AT45DB641E-MWHN答：您可以在此处下载比较。
AT25641A比较答：您可以在此处下载比较。
AT25DN512C CMPORTIS答：您可以在此处下载比较。
AT25DF081A比较答：我们遵循JEDEC的标准。您可以在这里下载。请参见表5-2和图5-1（第7页和第8页）。
JEDEC水分/回流答：有三种方法来编程串行闪存设备：1）字节，2）页面程序和3）顺序程序。
- 字节编程要求命令代码以及三个地址字节，然后是数据字节。当芯片选择变为高电平时，字节被编程为内存。要编程下一个字节，重复此序列。命令，3 x addr，1 x数据。
- 页面编程类似于字节编程，而不是取消选择芯片选择信号，当加载第一个数据字节然后等待设备进行编程该数据时，您可以保持CS低，并继续将最多256个字节的时钟进入缓冲。然后，当CS变为高电平时，所有256个字节将被编程为从命令开始时指定的地址位置顺序地址位置。这只能是最多256个字节（这是片上SRAM缓冲区的大小）。命令，3 x addr，1 x数据，1 x数据，1 x数据~~~~~~ 1 x数据。
- 顺序程序模式与字节程序相同，但使用内部地址计数器以跟踪使用的最后一个地址。这意味着用户只需要加载第一个数据字节的地址，并且一旦编程，它们就可以发送ADH或AFH命令和下一个数据字节（不需要再次发送3个地址字节）。虽然设备仍然必须等待，但每个数据字节都被编程，但您不需要继续发送地址信息的事实使整个过程更快。命令，3 x地址，1 x数据（等待程序周期），命令，1 x数据（等待），命令，1 x数据（等待）等。
在所有情况下，要编程的地址位置，是否必须首先擦除字节编程，页面编程或顺序编程。在Adesto Fusion Memories上，您可以使用页面擦除（256byte页面）或4kbyte，32kbyte和64kbyte块擦除。
在用户软件方面，顺序编程更容易实现，但页面编程仍将稍微快速。字节编程对于需要将一个或两个字节进行编程到随机位置的情况很好。