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GFET3超低RDSON、大电流集成电源开关的家庭

GreenFET 3

超低RDSON、大电流集成电源开关的家庭

GFET3家族的高性能集成电源开关设计和优化都是高端电源轨控制应用程序从0.25 V至5.5 V的负载电流范围从1到9。亚博国际官网平台网址

使用专有的MOSFET的设计,所有GFET3集成功率开关实现极稳定的RDSON输入电源电压范围广。结合专有MOSFET IP和先进的组装技术,这些先进的先进的产品可用在超薄pcb的足迹从²0.56毫米到4毫米²,表现出低的热电阻大电流操作。亚博电竞菠菜

相比离散场效应晶体管电路实现,GFET3产品结合高性能的场效应电晶体或pFET结构,高电流处理能力,电荷泵,空间亚博电竞菠菜效率以及多个保护和控制电路到单身,双通道的产品。这些高级功能的组合直接导致BOM(物料清单)组件、降低成本以及提高系统可靠性,减少板的尺寸。

所有GFET3低压集成功率开关的设计和特征完全商业(0°C到70°C),扩展商业70°C (-20°C),工业(-40°C到85°C),或延长工业(-40°C到125°C)的温度范围。符合产生非常低的热梯度,对话框集成电源控制开关,可在较低的热阻,STDFN / STQFN通过无铅认证包装或wafer-level芯片级封装(WLCSP)。

关键特性

  • 高性能低RDSON场效应电晶体& pFET场效电晶体
    • 从低至4 mΩ
  • 内部保护功能:
    • 内置电源欠压锁定保护
    • 固定和电容器/ Resistor-adjustable侵入电流控制
    • 固定和Resistor-adjustable限流保护
    • 内置短路电流保护
    • 内置热关机保护和自动重启
    • 逆电流阻塞使用散装开关或连续的场效应晶体管
    • 反向电压检测(所选零件编号)
    • 快速放电电压输出(输出电压放电删除选项)
  • 活跃的高开关控制(开关控制可用校验)
  • 排水明沟的错信号(所选零件编号)
  • 排水明沟力量好信号(所选零件编号)
  • Wafer-level芯片级封装(所选零件编号)
  • UL2967认证(所选零件编号)
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  • 智能手机和健身乐队
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  • 企业多功能复印机/打印机
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  • 机顶盒
  • hdd和ssd
  • 作为PCIe / PCI适配器卡
  • 便携式消费电子产品
  • 通用,高端Power-Rail切换/控制
PN 描述 类型 续id (A)。 RDSON (mΩ) VDDl-VDDh (V) VD / VIN Min-Max (V) 温度低 斜坡控制 保护功能 放电电路 包类型 文档
SLG59M1709V
(SLG59M1709 SLG59M1709VTR)
 ²4毫米,4场效应电晶体与0.8 V电源控制开关,VDD的输入范围和多种保护功能
1709年
 单一的n沟道 4.0 4 2.5 - 5.5 0.8 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 没有 STQFN-16 (1.6 x 2.5毫米) 文档
SLG59M1710V
(SLG59M1710 SLG59M1710VTR)
 ²4毫米,2场效应电晶体与0.8 V电源控制开关,VDD的输入范围和多种保护功能 单一的n沟道 2.0 4 2.5 - 5.5 0.8 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 没有 STQFN-16 (1.6 x 2.5毫米) 文档
SLG59M1713V
(SLG59M1713 SLG59M1713VTR)
 ²4毫米,2场效应电晶体与0.8 V电源控制开关,VDD的输入范围,多重保护功能,和快速输出电压放电 单一的n沟道 2.0 4 2.5 - 5.5 0.8 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 是的 STQFN-16 (1.6 x 2.5毫米) 文档
SLG59M1717V
(SLG59M1717 SLG59M1717VTR)
 ²4毫米,5场效应电晶体集成与0.8 V电源开关,VDD输入范围,多重保护功能,快速输出电压放电、排水明沟力量好输出信号 单一的n沟道 5.0 4 2.5 - 5.5 0.8 - VDD -40年到85年 电容器 CL(右)保洁 是的 STQFN-16 (1.6 x 2.5毫米) 文档
SLG59M1568V
(SLG59M1568 SLG59M1568VTR)
 3毫米²与电荷泵电源开关,匝道控制,输出流量,和保护 单一的n沟道 9.0 7.3 2.5 - 5.5 1.0 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 是的 STDFN-14 (1.0 x 3.0毫米) 文档
SLG59M1456V
(SLG59M1456 SLG59M1456VTR)
 一个3毫米²集成与电荷泵电源开关,匝道控制,输出流量,和保护 单一的n沟道 5.0 7.8 2.5 - 5.5 1.0 - VDD -20年到70年 电容器 固定CL保洁 是的 TDFN-8 (1.5 x 2.0毫米) 文档
SLG59M1457V
(SLG59M1457 SLG59M1457VTR)
 7.8超薄mΩ/ 6 3毫米²电源开关与0.85 VD,放电,两级限流 单一的n沟道 6.0 7.8 2.5 - 5.5 0.85 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 是的 TDFN-8 (1.5 x 2.0毫米) 文档
SLG59M1496V
(SLG59M1496 SLG59M1496VTR)
 一个3毫米²集成与电荷泵电源开关,0.85 VD,匝道控制,输出流量,和保护 单一的n沟道 5.3 7.8 2.5 - 5.5 0.85 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 是的 TDFN-8 (1.5 x 2.0毫米) 文档
SLG59M1600V
(SLG59M1600 SLG59M1600VTR)
 3毫米²逆电流阻断与电荷泵电源开关,0.85 VD,匝道控制,输出流量,和保护 单一的n沟道反向阻断 9.0 7.8 2.5 - 5.5 0.85 - VDD -40年到85年 电容器 RCB保洁 是的 STDFN-14 (1.0 x 3.0毫米) 文档
SLG59M1655V
(SLG59M1655 SLG59M1655VTR)
 9一个3毫米²,反向电流阻断场效应电晶体与电荷泵电源开关,0.85 VD,匝道控制和保护 单一的n沟道反向阻断 9.0 7.8 2.5 - 5.5 0.85 - VDD -40年到85年 电容器 RCB保洁 没有 STDFN-14 (1.0 x 3.0毫米) 文档
SLG59M1614V
(SLG59M1614 SLG59M1614VTR)
 一个3毫米²集成与电荷泵电源开关,0.85 VD,匝道控制和输出流量 单一的n沟道 4.0 8.5 2.5 - 5.5 0.85 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 是的 TDFN-8 (1.5 x 2.0毫米) 文档
SLG59M301V
(SLG59M301 SLG59M301VTR)
 一个3毫米²集成与电荷泵电源开关,匝道控制,输出流量,和保护 单一的n沟道 4.0 8.5 2.5 - 5.5 0.85 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 是的 TDFN-8 (1.5 x 2.0毫米) 文档
SLG59M307V
(SLG59M307 SLG59M307VTR)
 一个3毫米²集成与电荷泵电源开关,0.85 VD,匝道控制和输出流量 单一的n沟道 4.0 7.8 1.5 - 5.5 0.85 - VDD -20年到70年 电容器 - - - - - - 是的 TDFN-8 (1.5 x 2.0毫米) 文档
SLG59M308V
(SLG59M308 SLG59M308VTR)
 一个3毫米²集成与电荷泵电源开关,匝道控制,输出流量,和保护 单一的n沟道 3.0 7.8 2.5 - 5.5 1.0 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 是的 TDFN-8 (1.5 x 2.0毫米) 文档
SLG59M309V
(SLG59M309 SLG59M309VTR)
 一个3毫米²集成与电荷泵电源开关,匝道控制和保护 单一的n沟道 4.0 7.8 2.5 - 5.5 1.0 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 没有 TDFN-8 (1.5 x 2.0毫米) 文档
SLG59M1657V
(SLG59M1657 SLG59M1657VTR)
 3毫米²,125°C-rated 4集成与0.9 V电源开关,VDD的输入范围,可调匝道控制和多种保护功能 单一的n沟道 4.0 8.4 2.5 - 5.5 0.9 - VDD -40年到125年 电容器 固定CL保洁 没有 TDFN-8 (1.5 x 2.0毫米) 文档
SLG59M1470V
(SLG59M1470 SLG59M1470VTR)
 NanopowerFET™: 3毫米²快速打开,0.85 VD nano-power消费电源开关 单一的n沟道 6.0 9.8 3.0 - 5.25 0.85 - 1.5 (VDD - V) -40年到85年 没有 - - - - - - 是的 TDFN-9 (1.5 x 2.0毫米) 文档
SLG59M1735C
(SLG59M1735 SLG59M1735CTR)
 10.5 mΩ4场效应电晶体IPS和软启动保护功能在1.5毫米²WLCSP 单一的n沟道 4.0 10.5 2.5 - 5.5 0.9 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 没有 WLCSP-8 (0.96 x 1.56毫米) 文档
SLG59M1707V
(SLG59M1707 SLG59M1707VTR)
 4毫米²,125°C-rated, 3.5集成电源开关模拟电流监视器输出和排水明沟的错信号输出 单一的n沟道 3.5 13 2.5 - 5.5 0.8 - VDD -40年到125年 内部固定 CL(右)保洁 是的 STQFN-16 (1.6 x 2.5毫米) 文档
SLG59M1571V
(SLG59M1571 SLG59M1571VTR)
 1毫米²,低压,0.85 VD,反向电流阻断与电荷泵电源开关,输出流量,保护,4-pin包 单一的n沟道反向阻断 1.0 14.6 - - - - - - 0.85 - 1.9 -40年到85年 没有 RCB保洁 是的 STDFN-4 (1.0 x 1.0毫米) 文档
SLG59M1714V
(SLG59M1714 SLG59M1714VTR)
 4毫米²,连续4场效应电晶体逆电流阻塞和模拟电流监测器输出功率控制开关,快速输出电压放电、排水明沟的错信号输出 单一的n沟道反向阻断 4.0 15 2.5 - 5.5 0.8 - VDD -40年到85年 内部固定 CL(右)RCB保洁 是的 STQFN-16 (1.6 x 2.5毫米) 文档
SLG59M1551V
(SLG59M1551 SLG59M1551VTR)
 1毫米²,低电压和电荷泵电源开关,0.85 VD,输出流量,保护,4-pin包 单一的n沟道 2.0 15.5 - - - - - - 0.85 - 1.9 -40年到85年 没有 保洁 是的 STDFN-4 (1.0 x 1.0毫米) 文档
SLG59M1556V
(SLG59M1556 SLG59M1556VTR)
 1毫米²,低电压和电荷泵电源开关,0.85 VD,保护,4-pin包 单一的n沟道 2.0 15.5 - - - - - - 0.85 - 1.9 -40年到85年 没有 保洁 没有 STDFN-4 (1.0 x 1.0毫米) 文档
SLG59M1448V
(SLG59M1448 SLG59M1448VTR)
 1.6毫米²集成与电荷泵电源开关,0.9 VD,匝道控制,输出流量,和保护 单一的n沟道 2.5 17 2.5 - 5.5 0.9 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 是的 STDFN-8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M1545V
(SLG59M1545 SLG59M1545VTR)
 1.6毫米²集成与电荷泵电源开关,0.85 VD,匝道控制和保护 单一的n沟道 2.5 17 2.5 - 5.5 0.85 - VDD -20年到70年 电容器 固定CL保洁 没有 STDFN-8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M1598V
(SLG59M1598 SLG59M1598VTR)
 1.6毫米²集成与电荷泵电源开关,0.85 VD,匝道控制,输出流量,和保护 单一的n沟道 2.5 17 2.5 - 5.5 0.85 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 是的 STDFN-8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M1658V
(SLG59M1658 SLG59M1658VTR)
 1.6毫米²,125°C-rated 2.5集成电源开关0.9 V低VDD输入范围,可调匝道控制,快速输出电压放电,和多种保护功能 单一的n沟道 2.5 17 2.5 - 5.5 0.9 - VDD -40年到125年 电容器 固定CL保洁 是的 STDFN-8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M1685C
(SLG59M1685 SLG59M1685CTR)
 一个0.82毫米²WLCSP集成电源开关具有多种保护功能 单一的n沟道 2 10 - - - - - - 1.3 - 3.6 -40年到85年 固定的老 固定的CL,保洁 是的 WLCSP-6L (0.71 x 1.16毫米) 文档
SLG59M1720V
(SLG59M1720 SLG59M1720VTR)
 1.4毫米²,18 mΩ2与VS集成电源开关转换速率控制、限流和热保护 单一的n沟道 2.0 18 2.5 - 3.6 0.85 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 是的 STDFN-6 (1.0 x 1.4毫米) 文档
SLG59M1721V
(SLG59M1721 SLG59M1721VTR)
 1.4毫米²,18 mΩ2与VS集成电源开关转换速率控制、限流和热保护 单一的n沟道 2.0 18 2.5 - 3.6 0.85 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 没有 STDFN-6 (1.0 x 1.4毫米) 文档
SLG59M1515V
(SLG59M1515 SLG59M1515VTR)
 一个1.6毫米²快速打开集成与斜坡控制电源开关,和输出流量 单一的n沟道 2.0 20. 2.5 - 5.5 0.85 - 1.5 (VDD - V) -40年到85年 电容器 保洁 是的 STDFN-8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M610V
(SLG59M610 SLG59M610VTR)
 单3毫米²与逆电流阻断电源开关,电荷泵,匝道控制,输出流量,和保护 单一的n沟道反向阻断 4.0 22 2.5 - 5.5 1.0 - VDD -40年到85年 电容器 固定CLRCB保洁 是的 TDFN-8 (1.5 x 2.0毫米) 文档
SLG59M611V
(SLG59M611 SLG59M611VTR)
 单3毫米²与逆电流阻断电源开关,电荷泵,匝道控制和保护 单一的n沟道反向阻断 4.0 22 2.5 - 5.5 1.0 - VDD -40年到85年 电容器 固定CLRCB保洁 没有 TDFN-8 (1.5 x 2.0毫米) 文档
SLG59M1563V
(SLG59M1563 SLG59M1563VTR)
 单1.6毫米²与逆电流阻断电源开关,电荷泵和PG信号输出 单一的n沟道反向阻断 2.5 22.5 1.5 - 5.5 1.0 - VDD -40年到85年 内部固定 RCB保洁 没有 STDFN-8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M1460V
(SLG59M1460 SLG59M1460VTR)
 NanopowerFET™: 1.6毫米²快速打开和nano-power消费电源开关 单一的n沟道 2.0 30. 2.5 - 5.25 0.85 - 1.5 (VDD - V) -20年到70年 没有 - - - - - - 是的 STDFN-8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M1440V
(SLG59M1440 SLG59M1440VTR)
 1毫米²与电荷泵电源开关,匝道控制,输出流量,保护,4-pin包 单一的n沟道 1.0 40 - - - - - - 2.5 - 5.5 -40年到85年 电阻器 保洁 是的 STDFN-4 (1.0 x 1.0毫米) 文档
SLG59M1442V
(SLG59M1442 SLG59M1442VTR)
 1毫米²与电荷泵电源开关,匝道控制,保护,4-pin包 单一的n沟道 1.0 40 - - - - - - 2.5 - 5.5 -40年到85年 电阻器 保洁 没有 STDFN-4 (1.0 x 1.0毫米) 文档
SLG59M1466V
(SLG59M1466 SLG59M1466VTR)
 1毫米²电源开关与电荷泵,固定斜坡控制,输出流量和4-pin包 单一的n沟道 1.0 40 - - - - - - 2.5 - 5.5 -20年到70年 内部固定 - - - - - - 是的 STDFN-4 (1.0 x 1.0毫米) 文档
SLG59M1495V
(SLG59M1495 SLG59M1495VTR)
 1毫米²与电荷泵电源开关,匝道控制,输出流量,保护,4-pin包 单一的n沟道 1.0 80年 - - - - - - 2.5 - 5.5 -20年到70年 电阻器 保洁 是的 STDFN-4 (1.0 x 1.0毫米) 文档
SLG59M1649V
(SLG59M1649 SLG59M1649VTR)
 1.6毫米²,23 mΩ/ 4与逆电流阻断电源开关,反向电压检测、输出电压放电,活跃的高开-关控制 单p沟道反向阻断 4.0 23 - - - - - - 1.5 - 5.5 -40年到85年 没有 RCB测量系统 是的 STDFN 8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M1557V
(SLG59M1557 SLG59M1557VTR)
 一个1毫米²电源开关与输出流量 单p沟道 1.0 28.5 - - - - - - 1.5 - 5.5 -40年到85年 内部固定 - - - - - - 是的 STDFN-4 (1.0 x 1.0毫米) 文档
SLG59M1558V
(SLG59M1558 SLG59M1558VTR)
 一个没有输出流量的1毫米²电源开关 单p沟道 1.0 28.5 - - - - - - 1.5 - 5.5 -40年到85年 内部固定 - - - - - - 没有 STDFN-4 (1.0 x 1.0毫米) 文档
SLG59M1736C
(SLG59M1736 SLG59M1736CTR)
 33 mΩ,pFET IPS 2.2侵入电流控制在0.64毫米²WLCSP 单p沟道 2.2 33 - - - - - - 2.5 - 5.5 -40年到85年 没有 固定的我在 是的 WLCSP-4 (0.8 x 0.8毫米) 文档
SLG59M1730C
(SLG59M1730 SLG59M1730CTR)
 33 mΩ,1与控制涌流pFET IPS 0.64毫米²WLCSP 单p沟道 1.0 33 - - - - - - 2.5 - 5.5 -40年到85年 没有 固定的我在 是的 WLCSP-4 (0.8 x 0.8毫米) 文档
SLG59M1748C
(SLG59M1748 SLG59M1748CTR)
 逆电流阻断,反向电压检测,36-mΩ,2.2——pFET IPS在0.64毫米²WLCSP 单p沟道反向阻断 2.2 36 - - - - - - 1.6 - 5.0 -40年到85年 内部固定 RCB测量系统 没有 WLCSP-4 (0.8 x 0.8毫米) 文档
SLG59M1638V
(SLG59M1638 SLG59M1638VTR)
 一个1.6毫米²,双通道45 mΩ/ 2与逆电流阻断电源开关,反向电压检测、输出电压放电,活性高的开关控制 双p沟道反向阻断 2.0 45 - - - - - - 1.5 - 5.5 -40年到85年 没有 RCB测量系统 是的 STDFN 8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M1639V
(SLG59M1639 SLG59M1639VTR)
 一个1.6毫米²,双通道45 mΩ/ 2与逆电流阻断电源开关,反向电压检测和活跃的高开关控制 双p沟道反向阻断 2.0 45 - - - - - - 1.5 - 5.5 -40年到85年 没有 RCB测量系统 没有 STDFN 8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M1640V
(SLG59M1640 SLG59M1640VTR)
 一个1.6毫米²,双通道45 mΩ/ 2与逆电流阻断电源开关,反向电压检测、低开关控制输出电压放电,活跃 双p沟道反向阻断 2.0 45 - - - - - - 1.5 - 5.5 -40年到85年 没有 RCB测量系统 是的 STDFN 8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M1641V
(SLG59M1641 SLG59M1641VTR)
 一个1.6毫米²,双通道45 mΩ/ 2与逆电流阻断电源开关,反向电压检测和活性低的开关控制 双p沟道反向阻断 2.0 45 - - - - - - 1.5 - 5.5 -40年到85年 没有 RCB测量系统 没有 STDFN 8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M1527V
(SLG59M1527 SLG59M1527VTR)
 ²包在一个3毫米,4.5双通道与电荷泵电源开关,匝道控制,输出流量,和保护 双n沟道 4.5 14.5 2.5 - 5.5 0.9 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 是的 STDFN-14 (1.0 x 3.0毫米) 文档
SLG59M1603V
(SLG59M1603 SLG59M1603VTR)
 ²包在一个3毫米,4.5双通道反向电流阻断与电荷泵电源开关,0.85 VD,匝道控制,输出流量,和保护 双n沟道反向阻断 4.5 16 2.5 - 5.5 0.85 - VDD -40年到85年 电容器 RCB保洁 是的 STDFN-14 (1.0 x 3.0毫米) 文档
SLG59M1606V
(SLG59M1606 SLG59M1606VTR)
 ²包在一个3毫米,4.5双通道反向电流阻断与电荷泵电源开关,匝道控制和保护 双n沟道反向阻断 4.5 16 2.5 - 5.5 0.85 - VDD -40年到85年 电容器 RCB保洁 没有 STDFN-14 (1.0 x 3.0毫米) 文档
SLG59M1612V
(SLG59M1612 SLG59M1612VTR)
 ²包在一个3毫米,4.5双通道反向电流阻断与电荷泵电源开关,匝道控制,一个通道输出流量,和保护 双n沟道反向阻断 4.5 16 2.5 - 5.5 1.0 - VDD -40年到85年 电容器 RCB保洁 CH1:是的
CH2:不		 STDFN-14 (1.0 x 3.0毫米) 文档
SLG59M1599V
(SLG59M1599 SLG59M1599VTR)
 在一个1.6毫米²包,一个双通道1与电荷泵电源开关,匝道控制和保护 双n沟道 1.0 40 2.5 - 5.5 0.85 - VDD -40年到85年 电阻器 保洁 没有 STDFN 8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M1446V
(SLG59M1446 SLG59M1446VTR)
 在一个1.6毫米²包,一个双通道1与电荷泵电源开关,0.85 VD,匝道控制,输出流量,和保护 双n沟道 1.0 40 2.5 - 5.5 0.85 - VDD -40年到85年 电阻器 保洁 是的 STDFN 8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG59M1512V
(SLG59M1512 SLG59M1512VTR)
 在一个1.6毫米²包,一个双通道1与电荷泵电源开关,0.85 VD,匝道控制,输出流量,和保护 双n沟道 1.0 80年 2.5 - 5.5 0.85 - VDD -40年到85年 电阻器 保洁 是的 STDFN 8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG5NT1533V
(SLG5NT1533 SLG5NT1533VTR)
 1.6毫米²快速打开集成与斜坡控制电源开关,1 V处理器功率控制和输出流量 单一的n沟道笔记本电脑ref设计 2.5 20. 2.5 - 5.5 0.85 - 1.5 (VDD - V) -40年到85年 电容器 保洁 是的 STDFN-8 (1.0 x 1.6毫米) 文档
SLG5NT1477V
(SLG5NT1477 SLG5NT1477VTR)
 NanopowerFET™: 3毫米²快速打开,0.85 VD nano-power消费电源开关 单一的n沟道笔记本电脑ref设计 6.0 9.8 3.0 - 5.25 0.85 - 1.5 (VDD - V) -40年到85年 没有 - - - - - - 是的 TDFN-9 (1.5 x 2.0毫米) 文档
SLG59M1804V
(SLG59M1804 SLG59M1804VTR)
 在一个3毫米²包,UL2367-certified, 8.5双通道与电荷泵电源开关,匝道控制,输出流量,和保护 双n沟道 4.5 14.5 2.5 - 5.0 0.9 - VDD -40年到85年 电容器 固定CL保洁 是的 STDFN-14 (1.0 x 3.0毫米) 文档
SLG59M1693C
(SLG59M1693 SLG59M1693CTR)
 一种超低能耗的2 V, 1.0 15.8 mΩpFET集成电源开关与放电0.56毫米²WLCSP 单p沟道 1.0 17.4 - - - - - - 0.8 - 2.0 -40年到85年 内部固定 - - - - - - 是的 WLCSP-4 (0.75 x 0.75毫米) 文档
SLG59M1742C
(SLG59M1742 SLG59M1742CTR)
 一个0.82毫米²WLCSP集成与典型的550μs总电源开关开机时间 单一的n沟道 1 18 2.7 - 3.6 0.25 - 1.5 -40年到85年 没有 - - - - - - 是的 WLCSP-6L (0.71 x 1.16毫米) 文档
SLG59M1746C
(SLG59M1746 SLG59M1746CTR)
 0.82毫米²集成电源开关和输出流量 单一的n沟道 1 17.6 2.7 - 3.6 0.25 - 1.5 -40年到85年 内部固定 - - - - - - 是的 WLCSP-6L (0.71 x 1.16毫米) 文档

注:

  1. 固定的CL -两级限流:
    一个固定有功电流限制和内部)
    b)内部固定短路电流保护
  2. СL (R)两级限流:
    )的外部resistor-adjustable有功电流限制和b)内部固定短路电流保护
  3. 固定的我在-固定V在侵入电流
  4. 测量系统——反向电压检测
  5. RCB -逆电流阻塞
  6. TSD -对于那些85°C-rated产品热停堆保护、亚博电竞菠菜阈值设定在125°C 25°C滞后。为125°C-rated产品,热亚博电竞菠菜关机阈值设定在150°C与20°C滞后。所有产品亚博电竞菠菜时自动尝试重新启动操作模具温度冷却。

视频介绍GFET3集成电源开关

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负荷开关在物联网和移动产品研讨会亚博电竞菠菜

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