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AT45DB041E flash_erase_write_page

记忆

5个月前

发表克里斯蒂安10点 1回复
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大家好

我们使用AT45DB041E闪光灯。在数据表中写道,耐力为100'000 programm/擦除周期,每页最小值。

如果我用CMD NR 81H和CMD NR 02H擦除页面,只有50'000循环,对吗?

如果使用CMD Erase和ProgramM(82H),将有100个旋风?

正确吗?

谢谢

5个月前

Gordonmacnee 205分

嗨,克里斯蒂安,

我们将一个程序计数并删除为一个周期,因此您可以编程和删除一页100k次的内存(我们已经看到客户在没有故障的情况下放弃测试,但我们不能保证这种性能)。我们强烈建议您将静态数据和高耐力数据保留在单独的64K块中,以确保写入高耐力区域不会“干扰”静态数据。如果无法轻易管理,那么我们建议将静态数据重写高耐力数据的每一个〜50k周期,并包括一个读取模式 - 命令以帮助您进行此操作。

当您增加周期的数量时,内存的特定部分已经发生了,您会看到程序并删除时间向数据表中的最大值爬出来。

请注意,我们在状态寄存器中有EPE位,该位置有助于管理运行,直到您循环零件直到操作失败为止。该位将指示程序或擦除周期是否成功完成。因此,程序或擦除周期变为 - 启动程序周期 - 测试状态注册位7(准备/忙碌位) - 准备好测试EPE位.​​..