125°C级，3mm²，8.4mΩ，4个内部保护的负载开关
SLG59M1657V是高性能8.4MΩ，4个单通道NFET负载开关，可以使用2.5 V至5.5 V vDD.供应从低至0.9 V的开关电源轨到电源电压。SLG59M1657V采用两级过载电流保护，热关断保护，以及急流电流控制，可通过小型外部电容器轻松调整。使用专有MOSFET设计，SLG59M1657V实现稳定的8.4MΩRDS上跨越宽输入电压范围。此外，SLG59M1657V的包装还使用对话的专有CUFET™技术表现出用于高电流操作的低热阻。完全在-40°C上指定至125°C温度范围，SLG59M1657V可在节省空间，低热电阻，符合RoHS标准的1.5 mm x 2.0 mm stdfn封装。
特征
针对企业/嵌入式计算电源轨开关进行了优化
工作温度：-40°C至125°C
8.4mΩrds.上同时支持4.0 a
产生低热梯度
电源电压：2.5V≤vDD.≤5.5V
输入电压范围：0.9V≤VD.≤vDD.
浪涌电流控制通过外部电容器
两级过流保护：
- 固定阈值，6个有源电流限制
- 固定0.5短路电流限制
过温保护
开关控制：活跃高
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笔记本电源轨开关
平板电源轨开关
智能手机电源轨开关
包裹
TDFN-8（1.5 x 2.0 x 0.75 mm）
3mm²，125°C额定，4个带可调斜坡控制的负载开关，以及多种保护功能。包装：TDFN-8（1.5 x 2.0 mm）。
价格表：
| QTY. | 200-2,999 | 3,000 |
|---|---|---|
| 价格 | 0.272美元 | 0.218美元 |
SLG59M1657V评估板