高侧浇口的司机
n沟道MOSFET驱动程序
高侧浇口驱动程序提供的能力切换桌面,笔记本,上网本电力rails和更有效的和线性的方式通过促进使用n沟道mosfet而不是典型的p沟道mosfet。高侧浇口司机大大降低部分统计,从而节省睡眠模式功率(通过降低泄漏电流)和降低PCB区域成本平价与现有的解决方案。
高侧浇口驱动程序也提供支持任何英特尔参考设计负荷开关斜坡率或延迟。此外,高侧浇口驱动程序可以帮助你的产品满足当前和未来的能源之星的级别规格不增加成本。亚博电竞菠菜
| 零件号 | 描述 | 电源电压 | 包 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| SLG55021 | 高电压门驱动器内部电荷泵与V单n沟道MOSFETGS< 20 v。软切换1.0 V至20 V电源轨。 |
5伏 | TDFN-8 (2.0 x 2.0毫米) | 文档 |
| SLG55022 | 高电压门驱动器内部电荷泵与V单n沟道MOSFETGS< 20 v。软切换1.0 V至20 V电源轨。 |
12 V | TDFN-8 (2.0 x 2.0毫米) | 文档 |
| SLG55026 | 高电压门驱动器与内部电荷泵连续n沟道MOSFETVGD< 20 v。电荷泵Vd + 20 V。软切换1.0 V至20 V电源轨。 | 12 V | TDFN-8 (2.0 x 2.0毫米) | 文档 |
| SLG55031 | 低电压门为单身n沟道MOSFET驱动程序的内部电荷泵。软切换0.7 V至1.5 V电源轨。 | 5伏 | TDFN-8 (2.0 x 2.0毫米) | 文档 |
| SLG55221 | 双重铁路高压门驱动器内部电荷泵单或双n沟道mosfet和VGS< 20 v。软切换1.0 V至20 V电源轨。 | 5伏 | TDFN-8 (2.0 x 2.0毫米) | 文档 |
| SLG55321 | 三铁路高压门驱动器内部电荷泵为单/双/三n沟道mosfet和VGS< 20 v。软切换1.0 V至21 V电源轨。 | 5伏 | TDFN-8 (2.0 x 2.0毫米) | 文档 |
常见问题解答
GreenFET负荷开关的应用程序是什么?
GreenFET高性能负载开关可以使用在任何地方有要求开关电源rails从0.25 V至25.2 V。他们有一个非常小的物理尺寸,非常低的待机电流,和控制电压斜坡率。
我怎么能控制电压斜坡率GreenFET负载开关吗?
大多数GreenFET负荷开关有一个可调的电压斜坡率。在某些设备,这是与外部电容器组,在其他设备中,这是与一个电阻串联在销。有一些家族成员有一个固定的电压斜坡率。
对话框提供演示工具和评估工具GreenFET吗?
对话框提供了演示板进行评估。请联系您当地的销售代表或发送一个在线调查演示板。请指定GreenFET负载开关零件号码你打算测试。
火星科学实验室是什么水平和RoHS GreenFET状态吗?
火星科学实验室整个GreenFET家庭包级别1又6/6 RoHS标准。