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SLG59H1017V

高电压绿场效应管负载开关

slg59h1017.png

A 13.3 mΩ, 4 A, 10 W SOA负载开关,12v / 24v输入锁定选择和IDS当前监视器输出

SLG59H1017V是一款高性能的13.3 mΩ NMOS负载开关,设计用于控制12v或24v电源轨道,最高可达4 a。使用专有的MOSFET设计,SLG59H1017V实现了稳定的13.3 mΩ RDS宽输入电压范围。结合了新颖的FET设计和铜柱互连,SLG59H1017V封装还显示了高电流操作的低热阻。SLG59H1017V可在-40°C至85°C范围内工作,具有低热阻,rohs兼容,1.6 x 3.0 mm STQFN封装。

特性

低RDS: 13.3Ω

最大连续电流:4 A;

宽工作电源电压:12v或24v;

自动10w nFET SOA保护;

电容可调涌流控制;

两级限流保护:

  • 电阻可调有源限流;
  • 固定0.5A短路限流;

快速输出电压放电;

开关控制:主动高;

Pb-free /通过无铅认证包

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Power-Rail切换

多功能打印机

大尺寸复印机

电信设备

高性能计算

  • 12v和24v负载点配电

马达驱动器

STQFN-18 (1.6 x 3.0 x 0.55 mm)

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数据表
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SLG59H1017V数据表(1.31 MB)
应用笔记
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AN-CM-268双向应用对话GreenFET负载开关亚博国际官网平台网址(389.54 KB)
AN-CM-272扩展对话框的GreenFET负载开关最大工作电流(943.55 KB) 22/02/2019 1.0
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GreenFET负载开关简介

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高电压绿场效应晶体管负载开关简介

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负载开关网络研讨会第一部分

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负载开关网络研讨会第2部分

hfet.png

一个13.3 mΩ, 4 A负载开关,12V/24V输入锁定选择和IDS当前监视器输出。包装:STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)。

价表:

数量 100 - 2999 3000 +
价格 0.766美元 0.613美元
SLG59H1017V
0.766美元
HFET1评估板

SLG59H1017V的评估板

SLG59H1017V评估板
30.00美元