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FLASH问题——自定义达14585年

DA14585

3年前

FLASH问题——自定义达14585年

发布的wisilica0点 5回复
0的问题

你好,

我使用自定义与DA 14585芯片。所使用的flash W25X20CL。flash是由p沟道控制逻辑增强型功率场效应晶体管,HM2301BSR。达14585的销P0_6晶体管连接到门,源VDD和排水的供应销闪光。
现在,默认情况下,权力,门电压为0,漏极电压为3.4 v,源电压为3.4 v和VCC也是3.4 v的电源电压。点击连接智能片段工具箱,SPI别针成功配置。要求从flash引导,SPI别针配置如下:
CLK - P0_0, CS - P0_1 DI -P0_2——P0_3。为了获得启动闪光灯,我配置了相应的二级引导装载程序,程序进入OTP。
现在,我面临的问题是,在智能片段连接成功后,闪光的电源电压,以及漏电压下降到2.72 V。

现在,在点击读取32 kb选项卡,数据读取成功,但电压进一步降至约720 mV。请建议的原因相同。
这是否与jtag_programmer有什么关系。本是程序开始执行连接时最初在聪明的片段?

谢谢提前
Wisilica

3年前

wisilica 0点

你好,
我也尝试过使用PRO开发板一样,通过使用相同的MOSFET。门连接销P1_1、源VCC和泄销SPI_SUP J5。连接到智能片段之前,刚刚启动,flash是完全的3.4 v,门在0 v,排水和源为3.4 v。连接成功后,在门增加到3.2 v电压,降低了在排水和供应vcc电压2.6 v。读完32 kb,电压进一步下降为0 V在flash供应以及排水。
请建议的原因相同。

谢谢

接受答案!

3年前

MT_dialog -30点

嗨wisilica,

好吧,如果你检查flash_programmer你会发现,当弗兰克-威廉姆斯下载所有的针都在所有的设置在INPUT_PULLUP periph_init()函数,之后所有的针都是在高状态,然后设备配置引脚的状态与使用相关的外围设备,最终这就是触发器的MOSFET应用,降低电压。如果你想避免,你应该定制flash_programmer并适当地处理经营销MOSFET。之后修改flash程序员应该复制粘贴的二进制文件C: \ DiaSemi \ SmartSnippetsStudio \工具箱\ common_resources jtag_programmer_585.bin和重命名。

由于MT_dialog

3年前

wisilica 0点

你好,

谢谢你的回复。这个问题似乎是解决。我可以知道GPIOs拉的意义了吗?目前在flash程序员的代码中,我已经注释掉所有GPIOs停的函数调用。希望它没有任何impercussioons。

谢谢
Wisilica

接受答案!

3年前

MT_dialog -30点

嗨wisilica,

不,它不会有任何副作用,除非你联系其他的别针是活性低,该指令的原因是说因为在flash编程董事会可能有额外的sesnors记忆与SPI总线分离针,会激活由于低信号,所以它会腐败的flash的燃烧,因此所有的针都设置为输入高。

由于MT_dialog

3年前

wisilica 0点

你好,

谢谢你的及时回复。

Wisilica