对于电池驱动的应用程序，我考虑使用DA14580。该计划是在4年的时间里，每天只打开该部件一次(从完全断电开始)。为了尽可能延长电池的使用寿命，我希望将芯片的运行温度控制在2.5V以下。数据表清楚地表明，由于OTP损坏，在2.5V以下不可能冷启动。更进一步说，不建议在2.35V以下运行。这提出了几个问题:
1.DA14580能否从2.5V以下的外置存储器启动?
2.我知道BLE堆栈包含在ROM中，ROM在2.5V、2.35V以下是否可以可靠运行?
3.当工作电压低于2.35V时，芯片的性能会受到影响吗?
4.当低电压降压模式下工作时，电流拉出是否增加?如果我假设是常数，我计算了下面的曲线。这是准确的吗?
马Vbatt
5.10 - 3.0
5.16 - 2.9
5.36 - 2.8
5.56 - 2.7
5.79 - 2.6
6.02 - 2.5
6.28 - 2.4
6.56 - 2.3
6.87 - 2.2
7.21 - 2.1
7.57 - 2.0
谢谢你提供的任何启示。
嗨Markhillig,
在冷启动期间，从OTP中读取某些修整和校准值并保存在寄存器中。在生产过程中读取这些寄存器值是可行的(当电压足够高时)，并将它们存储在外部内存中。在该字段中启动时，将从外部内存读取这些设置，并将它们保存在适当的寄存器中。这个问题只涉及到OTP，所以其他块不会受到影响。同样，这种方法很麻烦，但却是可行的。
你可能需要考虑使用助推模式而不是降压模式。氧化银电池(纽扣电池)比典型的锂电池有更好的性能。氧化银电池也将有更大的能量密度(mWh每体积)，他们保持他们的名义电压几乎所有的方式到最后。在升压模式下，你不必担心OTP电压。
我不确定你是如何计算消费数字的。首先，你的数据似乎捕捉了峰值电流，而这些并不是平均功耗的良好指标。其次，在3.0V的峰值电流刚好低于5mA(这包括一切从降压调节器，微控制器和接收机打开的损失)。但请记住，BLE芯片大部分时间都处于睡眠状态-在你的情况下是深度睡眠，大约是550nA @ 3V 1.2uA @ 1.5V。在当前的水平上，计时器正在运行，并将允许每日醒来。
谢谢你的回复。
我们使用的是一种专有的电池化学物质，目前正在定义电池性能特性需要是什么。我列出峰值电流的原因是，我们正试图平衡瞬时电池采购能力与整体能量密度。当混合不同的电池化学成分时，它们是平衡的。对于我们的应用程序，Boost模式将需要太多的瞬时采购能力(>10mA)，我们在电子设备中没有充电存储空间。我们对“平均”当前消费计算非常了解。在buck模式下，根据数据表，3.0V时的峰值电流约为5.1mA (RX)。
你好,
这里有一些当前的消费数据:DA14580-01在buck模式@ 2.0V;2.4 v;2.8 v。
天线端接50欧姆负载。
Vbat3V = 2.0V: Tx pk = 6.35 mARx pk = 7.2 mA;Iavg = 0.96 mA
Vbat3V = 2.4V: Tx pk = 5.25 mA;Rx pk = 6.0 mA;Iavg = 0.85 mA
Vbat3V = 2.8V: Tx pk = 4.75 mA;Rx pk = 5.3 mA;Iavg = 0.74 mA
最好的问候,BB_Dialog。
谢谢你提供的信息!这个答案问题4.您是否有关于1-3问题的想法？
嗨markhilliq,
我认为mhvid_dialog在他的回答中提供了大部分的答案。
一般来说，低于2.35V，不能再读取OTP。
因此，如果你的应用程序不使用OTP(但例如flash引导)，DA14580可以在buck模式下使用2.35V以下。
最好的问候,BB_Dialog
如果您使用外部内存，有一个选项可以在生产测试中将电压设置为3V，读取XTAL修剪值并将其存储在FLASH中。
BR JE_Dialog